SBD、MOS、IGBT等分立器件规模化老炼及可靠性测试

服务内容

根据产品设计常规可靠性方案、动态可靠性方案；

执行功率器件的动静态老炼及可靠性试验；

设计和制作、出具相关可靠性报告、提供标准解读等。

服务范围

二/三极管、MOS、IGBT、TVS管、齐纳管等半导体分立器件的动静态可靠性测试，如HTRB、HTGB、DRB、DGB；

二/三极管、MOS、IGBT、TVS管、齐纳管等半导体分立器件的环境应力试验，如H3TRB、DH3、HAST、AC、UHAST、IOL等；

检测标准

JESD22系列标准；

MIL-STD-750系列；

AEC-Q101；

AQG-324等。

检测项目

（1）环境应力试验

序号 服务项目 说明

1 High Humidity High Temperature Reverse Bias 高温高湿反偏

2 Highly Accelerated Stress Test 高加速应力试验

3 Intermittent Operational Life 间歇工作寿命

4 Unbiased Highly Accelerated Stress Test 无偏置高加速应力试验

5 Autoclave（Pressure Cooker Test） 高压蒸煮

6 Temperature Cycling 温度循环

7 Temperature Shock 温冲（气-气）

8 Temperature Shock（liquid-liquid） 液态温冲

9 High Temperature Storage Life 高温存储

10 Low Temperature Storage Life 低温存储

（1）老炼或工作寿命试验

序号 服务项目 说明

1 High Temperature Reverse Bias 高温反偏

2 Low Temperature Reverse Bias 低温反偏

3 High Temperature Gate Bias 高温栅偏

4 Low Temperature Gate Bias 低温栅偏

5 Dyn.HTGS 动态栅偏

6 Dyn.HTRB 动态反偏

7 Dyn.H3TRB 动态H3

8 HTFB 正向工作（双极性退化）

9 TDDB 栅极稳定性-经时击穿

相关资质

广州实验室具备专业的检测资质，质量管理体系完善，可确保所有可靠性测试数据的准确性与可追溯性。出具的试验报告在行业内具有高度的公信力，是客户进行产品设计验证、车规认证及质量评定的权威依据。

测试周期

常规可靠性：2个月内完成试验，根据技术标准、测试大纲定制

定制化动态可靠性：2~4个月，根据技术标准、测试大纲定制

服务背景

在功率半导体国产化替代加速的浪潮下，国内器件厂商不仅要实现性能对标，更要通过严苛的可靠性验证来证明产品的一致性与长期稳定性。相比常规静态应力试验，动态可靠性（如DRB、DH3TRB）能真实模拟器件在高频开关、高电压变化下的实际工况，有效暴露潜在的设计缺陷与工艺偏差。因此，构建覆盖从晶圆到封装的全流程、规模化、尤其是包含动态应力的可靠性测试能力，已成为国产功率器件突破高端市场、进入车规级应用的核心门槛。

我们的优势

可实现不同电压等级（⾼达3300V）功率器件的全项目试验能力。

覆盖AEC-Q101、AQG324全项试验能力，以及包括DRB、DH3TRB、AC-BTI、HTFB等在内各类动态可靠性试验能力。

覆盖各类封装形式的夹具与老化板，包括但不限于直插式封装:TO220、TO247、TO263、TO252、TOLL；小型表面贴装封装:SMA、SMB、SMC、SOD123 、SOD323；中⼤型表面贴装封装:SMD、SMF;扁平无引脚封装(DFN)：DFN56等 。

常见问题

Q：分立半导体器件车规认证是否需要做动态可靠性？

A：分立半导体器件车规认证按照AEC-Q101标准，没有动态可靠性试验要求。动态可靠性作为SiC MOSFET的额外需求，反映了器件在高频、高速的特性，可以作为附加项目进行测试。

Q：工规可靠性认证是否有推荐的标准？

A：通常工业级可靠性按照JESD47进行试验。其细项参考标准依然为JESD22系列标准、MIL-STD-750标准等，与AEC-Q101项目基本相关或者一致。可以参照AEC-Q101的项目，并且重新按照工业级使用场景细化试验条件、样品数量、失效判据等。