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服务内容
1、Maximum Ratings（绝对最大额定值）
2、Electrical Characteristics（典型电气特性值）
3、Thermal Characteristics（热特性）
4、Typical Performance（特性曲线）
服务范围
1、Si/SiC MOSFET/IGBT（100～1700V）
2、GaN（DFN58、DFN88、TO220）
3、Diode/MPS/JBS (50 ~ 2000V)
检测标准
IEC 60747-2 2016；IEC 60746-8 2021；IEC 60747-9 2019
检测项目
| Maximum Ratings （绝对最大额定值） | Electrical Characteristics （典型电气特性值） | Thermal Characteristics （热特性） | Typical Performance （特性曲线） | ||||
| 静态参数 | 电容特性 | 开关特性 | 反向恢复特性 | 栅极电荷 | |||
| ID ID,pules PD | V(BR)DSS VGS(th) IDSS IGSS RDS(on) gfs RG | Ciss Coss Crss Eoss | td(on) tr td(off) tf Eon Eoff | IS trr Qrr Irrm VSD | QG QGS QGD | Rth-JC Rth-JA | ID-VDS ID-VGS RDS-ID RDS-VGS IS-VSD QG-VGS C-VDS |
相关资质
目前具有MOSFET常规静态特性CNAS资质。实验室严格按照ISO17025管理体系运行，确保每一项测试数据的准确性和可追溯性，出具的测试报告可作为产品设计定型、数据手册编写及交付验收的权威依据。
测试周期
1、全规格书测试周期约15工作日
2、常规静态特性及特性曲线测试周期约3～5工作日
服务背景
电性能参数测试是一系列标准化的测量过程，旨在评估和验证功率半导体分立器件的性能指标是否满足特定的应用要求。随着SiC、GaN等第三代半导体器件的普及，其对高频、高温特性的精准表征提出了更高要求。这些测试不仅包括传统的静态参数（如击穿电压、导通电阻），更涵盖了开关特性、栅极电荷、热阻以及全区域的特性曲线，是工程师进行电路仿真、热设计及确保器件在苛刻工况下可靠运行不可或缺的数据基石。
我们的优势
⼯业和信息化部“⾯向集成电路、芯⽚产业的公共服务平台”。
⼴东省⼯业和信息化厅“汽车芯⽚检测公共服务平台”。
江苏省发展和改⾰委员会“第三代半导体器件性能测试与材料分析⼯程研究中⼼”
MOS FET/IGBT 动态参数测试系统解决方案成功入选《2025 年无锡市场景清单（第一批）》。
为国内三分之二的功率器件龙头企业提供参数测试、可靠性试验及失效分析。
第三代半导体检测领域合作客户超过80家，样品数量三十余万件。
常见问题
Q：如何选择测试样品量？
A：1、建议10pcs以上的样品量；
2、对于热特性项目建议额外寄送等量需求样品量的数量；
Q：对于SiC MOS/IGBT如何选择其动态特性测试条件及测试方案？
A：开关特性及反向恢复特性一般会按照其额定电压的50%～70%、额定电流来作为测试条件，常见的如1200V 40A的SiC MOS一般会选择800V 40A的测试条件，650V的IGBT会选择400V作为测试条件。依据IEC 60746-8 2021、IEC 60747-9 2019标准，第三代半导体会选择电感作为负载的双脉冲测试方案。
Output curve
Transfer curve
