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专业FIB(聚焦离子束)测试服务
汇策集团晟安检测（第三方检测机构）利用FIB聚焦离子束技术，提供纳米级微观截面制样、芯片线路修改(FIB Edit)、缺陷靶向剖析及TEM超薄切片服务，助力半导体失效追因与逆向工程。 集团CNAS/CMA资质体系支撑，提供独立、公正、可追溯检测数据与报告。
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服务范围
芯片全流程验证服务
存储与逻辑器件测试
功率器件专项评估
射频与高速接口能力
车规电子导入支撑
工业控制场景适配
封装与模组协同验证
失效定位与整改闭环
量产放行质量评估
验收与投标报告支撑
研发质量团队联合服务
多节点项目交付管理
应用场景
芯片线路修改
截面形貌分析
局部TEM制样
晶粒结构分析
微纳米加工
缺陷定点剖析
失效分析(FA)
封装结构透视
焊点界面分析
多层膜厚测量
异物靶向切片
微区深度分析
核心检测服务
| FIB线路修改与微加工 | |||
|---|---|---|---|
| 芯片线路切断(Cut) | 金属沉积连线(Deposition) | 器件内部探针引出 | 修复设计逻辑错误 |
| 微纳米结构加工 | 光子晶体刻蚀 | MEMS器件微加工 | 微流控通道制作 |
| 截面分析与TEM制样 | |||
|---|---|---|---|
| 指定位置精密切片 | 多层膜厚度与结构测量 | 焊点界面微观剖析 | TSV盲孔/通孔分析 |
| TEM超薄切片制样 | 特定缺陷靶向提取 | 晶界与相界结构提取 | 纳米级异物精准定位 |
| 失效定位与机理分析 | |||
|---|---|---|---|
| 漏电/短路点物理破坏验证 | 晶体管栅极击穿定位 | 电迁移(EM)空洞观察 | ESD静电击穿形貌 |
| 芯片封装开裂溯源 | 钝化层开裂机理 | 金属互连层断裂分析 | 深层隐蔽缺陷暴露 |
核心优势
汇策集团晟安检测服务优势
CNAS/CMA体系支撑，测试报告数据独立、公正、可追溯
纳米级精确定位切片，完美暴露隐蔽缺陷与深层结构
结合SEM/EDS同步成像与成分分析，提供完整的微观证据链
资深专家操作，满足高难度芯片改线与极薄TEM制样需求
按研发除错、客诉失效追因及工艺验证场景输出定制化方案
客户常见风险与痛点
芯片设计流片后发现逻辑错误，重新流片成本高周期长
常规切片方法精度低，无法精准切到纳米级隐蔽缺陷位置
多层薄膜或极细金属互连层断裂，缺乏高分辨率的截面证据
半导体先进制程中，TEM超薄切片制样难度极大且易损坏样品
焊点界面或盲孔内部的微观形貌及成分分布难以直接观测
芯片改线
精密切片
TEM制样
缺陷定位
FIB(聚焦离子束)测试服务流程
需求确认与图纸评估
样品送达与前处理
FIB精确定位与离子刻蚀
截面SEM观察与EDS分析
数据复核与缺陷特征提取
报告交付与专家答疑
部分执行标准
GB/T 33834 微束分析 聚焦离子束
GB/T 35099 微束分析 术语
企业FIB操作规范
客户定制切片要求
JEDEC微电子标准
行业失效分析规范
ASTM E1558 FIB截面制样
ISO 22493 扫描电镜
芯片逆向分析规范
集成电路FA指南
电子元器件测试标准
半导体制造企业规范
常见问题
FIB切片和常规机械切片有什么区别？
常规机械切片精度在微米级，易产生应力损伤；FIB切片利用离子束刻蚀，精度可达纳米级，能精准切到特定位置且截面极其平整，适合半导体先进制程分析。
芯片线路修改(FIB Edit)需要提供什么资料？
通常需要提供芯片版版图(GDS文件)、电路原理图、封装引脚定义以及明确的改线需求（如切断哪根线、连接哪两个节点），以便工程师精准定位。
可以结合成分分析吗？
可以，我们的FIB双束系统集成了SEM和EDS，在离子束切出截面后，可立即使用电子束进行高分辨形貌观察及微区元素成分分析。
TEM制样大概能切到多薄？
凭借资深工程师的经验，FIB制备的TEM薄片厚度通常可控制在50纳米至100纳米以下，满足高分辨透射电镜的观测要求。
立即获取FIB(聚焦离子束)测试方案
请提交产品/项目名称、应用场景、目标用途（投标/验收/入网/量产/整改）及联系方式。工程师将在工作时间优先对接并提供可执行测试方案与报价口径。
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